支持Samsung NAND Flash(S3C2410/2440/2442) 的烧写
Flash编程速度可达100KBytes/S以上
高速程序代码下载速度200KBytes/S以上
FoxICE仿真器内置对于GDB Remote Serial Protocol协议支持
免费赠送Eclipse for ARM V 3.2.1集成开发环境
支持超低电压的处理器调试, 目标范围为：0.65 ～ 5.5V
支持ARM7、ARM9、ARM9E系列ARM处理器的调试
详细信息 >>

文件名称

更新时间

NAND闪存深入解析

2007-8-18

   大小 : 280KB

闪速存储器技术现状及发展趋势

2007-8-18

   大小 : 38KB

一种NAND FLASH自启动的新方法

2007-8-18

   大小 : 48.5KB

从NAND闪存中启动U-BOOT的设计

2007-8-18

   大小 : 51KB

Alternatives to Using NAND Flash White Paper

2007-9-21

   大小 : 51KB

Flash Management Software:When, Why and Which?

2007-9-21

   大小 : 51KB

APPLICATION NOTE for NAND Flash Memory

2007-11-15

   大小 : 478KB

NAND Flash ECC Algorithm(Error Checking & Correction)

2007-11-15

   大小 : 478KB

ecc_algorithm_for_web_512b

2007-11-15

   大小 : 285KB

ecc_algorithm_for_web_256w

2007-11-15

   大小 : 287KB

samsung NAND Flash Spare区设计标准

2007-11-15

   大小 : 287KB

Samsung公司512字节数据产生3字节ECC校验码、及用ECC码检查数据错误的软件代码

2007-11-15

   大小 : 287KB

Samsung公司256字节数据产生3字节ECC校验码、及用ECC码检查数据错误的软件代码

2008-4-7

   大小 : 287KB

Samsung公司nand flash芯片内部的device id

2008-4-7

   大小 : 287KB